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FDB2670 |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | Fairchild Semiconductor | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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FDB2670参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB 包装数量：800 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：200V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：19A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1320pF @ 100V 功率 - 最大值：93W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： PMIC - 监控BD4860G-TR 单二极管/整流器BAS21_ND87Z 铝电容器B43504C2128M82 接口 - 模拟开关MAX334EWE 圆形KPSE00E16-23S 触摸KMR242GLFS 芯片电阻 - 表面RR0816P-363-D 陶瓷电容器A681K15C0GF5UAA 固定式CDEP105NP-3R2MC-50 通孔电阻器RNF18BTD43K2 |
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